技術實力：
目前已開發完成15-100A/1200V、20-100A/1700V非穿通型平面柵和溝槽柵IGBT系列產品以及配套FRD產品，15A/600V場截止型溝槽柵IGBT產品，已完成2500V，3300V，4500V和6500V系列IGBT芯片樣品的開發，其中6500V IGBT芯片樣品的擊穿電壓達到7100V以上。正在進一步優化相關參數，拓展產品規格，目標是形成600V-6500V全系列IGBT產品。
IGBT器件結構：
(a) 溝槽柵穿通型Trench+PT (b) 平面柵非穿通型Planar+NPT
(c) 溝槽柵非穿通型Trench+NPT (d) 平面柵場截止型Planar+FS
(e) 溝槽柵場截止型Trench+FS (f) 載流子存儲層溝槽柵場截止型Trench+CS+FS
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